2026年8月6日，特斯拉與SpaceX聯合宣佈，超級晶片工廠Terafab正式落戶美國得克薩斯州格賴姆斯縣。一期投資高達168億美元，遠期總投入最高可達1190億美元，目標是建設地球上規模最大的晶片製造基地。這一訊息由馬斯克親自在社交平台確認，同時他丟擲一項顛覆性計劃：工廠未來將採用自由電子雷射（FEL）光刻技術，而非ASML傳統的錫基EUV光刻機路線。

自由電子雷射是一種基於粒子加速器的高亮度光源，理論上可實現更短波長的光刻，從而突破現有EUV光刻的產能瓶頸。然而，半導體工業從不缺少天才的物理設想，真正決定勝負的往往是奈米尺度下的工程細節與良率曲線。馬斯克試圖通過建設巨型粒子加速器來顛覆傳統EUV路線，這一表態迅速在半導體界和科技圈掀起巨浪。

值得注意的是，Terafab的落地標誌著特斯拉與SpaceX在晶片製造領域的深度聯手。儘管具體產能規劃和技術細節尚未完全披露，但如此大規模的投資表明，馬斯克有意在晶片自給自足上邁出關鍵一步。此舉可能對現有半導體供應鏈格局產生深遠影響，尤其是對ASML在光刻機市場的長期主導地位構成潛在挑戰。

目前，該計劃仍處於早期階段，技術可行性和商業化前景尚待驗證。但馬斯克的這一佈局，無疑為半導體行業增添了新的變數，值得持續關注。